（来源：诺德股份）
AI算力的竞争，不仅是芯片算力的竞争，更取决于设备能源效率与热管理能力。
在上一篇《诺德AI电子电路铜箔系列丨载体铜箔》一文中，我们解读了聚焦于先进封装的极薄载体铜箔。如果说载体铜箔解决的是"信号如何跑得更快"——依托1.5–3μm超薄铜层与纳米级低粗糙度特性，为AI先进封装超精细电路布线提供基材。
本篇聚焦的诺德股份NE-RTF系列厚铜箔与NE-VLP厚铜箔，解决的则是"电力如何传送得更稳"——依托百微米级铜厚与极低线路阻抗特性，实现超高载流与优异热管理表现，为AI算力硬件高功率负载需求提供可靠基材支撑。
01
AI硬件“大动脉”
厚铜箔的载流逻辑与核心价值
随着英伟达Rubin平台新一代液冷机柜、800V高压直流供电架构的推出，AI算力硬件正式迈入千瓦级整机功耗时代，供电平面需承载瞬时数百安培的拉载电流，若无法有效控制传输路径产生的直流压降（IRDrop）与焦耳热，极易引发电压跌落、芯片降频乃至设备热失控，传统薄铜箔已无法匹配高载流、高热冲击、高可靠性的使用场景。
厚铜箔的核心价值，是通过加厚铜层基材，凭借更低的单位面积直流电阻，支撑超高电流密度，大幅降低峰值功耗下的IRDrop与焦耳热；同时，铜本体卓越的导热性能，使PCB内层兼具供电与散热双重功能，减少额外散热器件成本与风冷负担。
02
厚而精密 强而可靠
诺德AI厚铜箔性能与应用
针对下一代高密度算力集群的高压直流大电流载流、全液冷散热与高可靠性需求，诺德股份重磅打造NE-RTF、NE-VLP两大高端厚铜箔产品系列，以差异化产品布局AI全场景大功率应用。
NE-RTF3/RTF4反转处理厚铜（3oz-12oz）
基于3oz-12oz厚铜基材叠加RTF低轮廓工艺，处理面粗糙度Rz优化至较低水平，兼顾大电流传输与中高速信号完整性，适配AI服务器电源平面与中低速控制总线，平衡供电稳定性与信号传输精度。
NE-VLP极低轮廓厚铜（3oz-12oz）
专为纯高功率、强散热极端工况定制开发，表面粗糙度Rz＜5.1μm。产品重点提升抗剥离强度与导热均匀性，适用于VRM、PSU电源模块、大功率母线层等重载核心场景。
高压直流供电、全液冷散热设备对厚铜箔存在严苛要求：加厚铜层易造成晶粒粗大、表面粗糙，而降低粗糙度又会削弱铜箔与基材附着力，同时厚铜沉积产生的内应力，还会引发高温蠕变、板材分层起泡等失效问题，是行业长期难以兼顾的制造难点。
诺德股份依托低轮廓晶粒控制、纳米铜瘤定向生长、高锚栓强化工艺三大核心技术，在3oz-12oz厚铜产品上实现“低粗糙度+高结合力”双重性能平衡。
从关键性能指标来看，诺德股份AI厚铜箔在以下维度建立了显著优势：
在AI硬件中，诺德股份厚铜箔的核心落地场景包括：
AI服务器UBB/OAM主板电源层：NE-RTF厚铜主要用于高压供电平面与高电流内层，可承载GPU瞬时几百安培拉载电流。
服务器冗余电源（PSU）与VRM：NE-VLP厚铜作大电流母排与DC-DC转换层，可利用厚铜本体导热，减少额外散热片成本与风冷负担。
AIDC储能与液冷电源背板：适配数据中心侧大功率转换，3oz-12oz厚铜耐高纹波电流与热冲击，诺德厚铜产品已通过多家电源企业测试验证。
具身智能/工业机器人控制板：高抗热冲击与机械强度，适配伺服驱动大功率走线。
03
从薄到厚
诺德AI算力铜箔答案
诺德股份VLP、RTF厚铜箔产品围绕AI算力基础设施大功率场景开发，与系列前篇载体铜箔的IC载板、高速光模块精细线路场景形成互补，诺德股份兼具最薄铜层-载体铜箔与超厚铜箔生产能力，适配算力硬件从芯片封装、高速信号传输到大功率供电的全产业链材料需求。
先发优势
AI厚铜箔量产进度：现阶段，诺德股份NE-RTF厚铜已实现规模化量产；NE-VLP厚铜正与多家主流机器人、AIDC电源厂商推进合作验证，高端厚铜产品持续放量中。
超厚铜箔生产底蕴：诺德股份是国内最早具备全区间超厚铜箔生产能力的企业。目前，诺德股份12oz超厚铜箔已实现欧洲客户批量供货。
认证壁垒
认证周期壁垒：高端电子材料下游认证周期长达1–3年，公司依托前期认证积累形成稳定客户合作基础。
产能保障
柔性产能保障：诺德股份拥有3万吨电子电路铜箔年产能及柔性生产产线，可稳定交付AI级厚铜箔产品。
随着AI服务器单机功耗持续上行、数据中心大规模算力集群建设提速，大功率厚铜箔需求将同步高速增长。
诺德股份将持续推进产线扩容、工艺迭代与客户批量交付落地，在800V高压直流背板、液冷电源背板、AIDC储能与等大电流应用场景持续巩固竞争优势，为AI算力设备稳定、安全、长效的电力传输提供材料支撑。
系列预告
本系列后续还将推出RTF反转铜箔、HVLP极低轮廓铜箔，敬请持续关注。
